稳态微聚束原理的实验证明的新结果有望解决“卡住”的问题。自行开发的光刻机的问题

从清华大学获悉,2月25日,清华大学工程物理系唐传祥教授的研究小组以及柏林亥姆霍兹材料与能源研究中心(HZB)和德国联邦物理技术研究所的合作团队(PTB)“(Nature)发表了一篇研究论文,标题为“稳态微束化机理的实验证明”。 (稳态微束机理的实验演示),报道了一种新型的粒子加速器光源“稳态微束”。 )的第一个原理验证实验。根据SSMB原理,可以获得高功率,高重复频率和窄带宽相干辐射,并且波长可以覆盖从太赫兹到极紫外(EUV)的波段,有望为光子学提供广阔的新机遇。光子科学研究。在芯片制造产业链中,光刻机是必不可少的精密设备,它是集成电路芯片制造中最复杂,最关键的工艺步骤。 “我的国家/地区自主研发EUV光刻机还有很长的路要走。期望基于SSMB的EUV光源解决最核心的“卡死”问题。在独立研发的光刻机中。唐传祥说。 SSMB原理验证实验示意图。图片来源“自然” SSMB原理验证实验结果。图片源“自然”显示在屏幕上。光刻机是芯片制造中必不可少的精密设备。 SSMB的概念是由斯坦福大学教授和清华大学杰出访问学者赵武及其博士生丹尼尔·拉特纳(Daniel Ratner)于2010年提出的。赵武继续推动SSMB的研究和国际合作。 2017年,唐传祥和赵武发起了实验。唐传祥的研究小组领导了实验的理论分析和物理设计,并开发了用于实验的激光系统,与合作单位进行了实验,并完成了实验数据分析和文章撰写。 HZB的唐传祥教授和Jrg Feikes博士是该论文的通讯作者,清华大学工程技术系2​​015年博士研究生邓秀洁是该论文的第一作者。 “ SSMB光源的潜在应用之一是将来作为EUV光刻机的光源。这是国际社会高度重视清华大学SSMB研究的重要原因。”唐传祥介绍。在芯片制造产业链中,光刻机是必不可少的精密设备,它是集成电路芯片制造中最复杂,最关键的工艺步骤。光刻机的曝光分辨率与波长直接相关。半个多世纪以来,光刻机的光源波长一直在缩小。芯片行业公认的新一代主流光刻技术是具有13.5纳米光源的EUV(极端紫外线)。光源)光刻。 EUV光刻机的工作等效于使用波长仅为头发直径的十分之一的极紫外光来“雕刻”毛发。晶片上的电路。最后,指甲大小的芯片将包含数百亿个晶体管。该设备过程显示了人类技术发展的最高水平。荷兰的ASML目前是世界上唯一的EUV光刻机供应商,每台EUV光刻机的售价都超过1亿美元。新的结果有望解决“卡住脖子”的问题。独立开发的光刻机的问题。唐传祥说,大功率EUV光源是EUV光刻机的核心基础。 ASML当前使用高能脉冲激光轰击液态锡靶以形成等离子体,然后产生波长为13.5纳米,功率约为250瓦的EUV光源。随着芯片工艺节点的不断缩小,预计对EUV光源的需求将继续增加,达到千瓦级别。 “简而言之,光刻机所需的EUV光需要短波长和高功率。”唐传祥说:“大功率EUV光源的突破对于EUV光刻技术的进一步应用和发展至关重要。基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率,并且有可能扩展到更短的波长

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